在IEDM2023上，英特爾展示了結合背面供電和直接背面觸點的3D堆疊CMOS晶體管，這些開創性的技術進展將繼續推進摩爾定律。2023年12月9日，英特爾在IEDM2023（2023IEEE國際電子器件會議）上展示了多項技術突破，為其的制程路線圖提供了豐富的創新技術儲備，充分說明了摩爾定律仍在不斷演進。具體而言，英特爾研究人員在大會上展示了結合背面供電和直接背面觸點（directbacksidecontacts）的3D堆疊CMOS晶體管，分享了近期背面供電研發突破的擴展路徑（如背面觸點），并率先在同一塊300毫米晶圓上，而非封裝中，成功實現了硅晶體管與氮化鎵（GaN）晶體管的大規模單片3D集成。英特爾公司高級副總裁兼組件研究總經理SanjayNatarajan表示：“我們正在進入制程技術的埃米時代，展望‘四年五個制程節點’計劃實現后的未來，持續創新比以往任何時候都更加重要。在IEDM2023上，英特爾展示了繼續推進摩爾定律的研究進展，這顯示了我們有能力面向下一代移動計算需求，開發實現晶體管進一步微縮和高能效比供電的前沿技術?！本w管微縮和背面供電是滿足世界對更強大算力指數級增長需求的關鍵。一直以來，英特爾始終致力于滿足算力需求，表明其技術創新將繼續推動半導體行業發展，也仍然是摩爾定律的“基石”。英特爾組件研究團隊不斷拓展工程技術的邊界，包括晶體管堆疊，背面供電技術的提升（有助于晶體管的進一步微縮和性能提升），以及將不同材料制成的晶體管集成在同一晶圓上。英特爾近期在制程技術路線圖上的諸多進展，包括PowerVia背面供電技術、用于先進封裝的玻璃基板和FoverosDirect，彰顯了英特爾正在通過技術創新不斷微縮晶體管。這些創新技術均源自英特爾組件研究團隊，預計將在2030年前投產。在IEDM2023上，英特爾組件研究團隊同樣展示了其在技術創新上的持續投入，以在實現性能提升的同時，在硅上集成更多晶體管。研究人員確定了所需的關鍵研發領域，旨在通過高效堆疊晶體管繼續實現微縮。結合背面供電和背面觸點，這些技術將意味著晶體管架構技術的重大進步。隨著背面供電技術的完善和新型通道材料的采用，英特爾正致力于繼續推進摩爾定律，在2030年前實現在單個封裝內集成一萬億個晶體管。英特爾實現了業界領先的、突破性的3D堆疊CMOS晶體管，結合了背面供電和背面觸點技術：?英特爾在IEDM2023上展示了業界領先的最新晶體管研究成果，能夠以微縮至60納米的柵極間距垂直地堆疊互補場效應晶體管（CFET）。該技術可通過晶體管堆疊提升面積效率（areaefficiency）和性能優勢，還結合了背面供電和直接背面觸點。該技術彰顯了英特爾在GAA（全環繞柵極）晶體管領域的領先地位，展示了英特爾在RibbonFET之外的創新能力，從而能夠領先競爭。超越其“四年五個制程節點”計劃，以背面供電技術繼續微縮晶體管，英特爾確定了所需的關鍵研發領域：?英特爾的PowerVia將于2024年生產準備就緒，率先實現背面供電。英特爾組件研究團隊在IEDM2023上發表的研究明確了超越PowerVia，進一步拓展背面供電技術的路徑，及所需的關鍵工藝進展。此外，該研究還強調了對背面觸點和其它新型垂直互聯技術的采用，從而以較高的面積效率堆疊器件。英特爾率先在同一塊300毫米晶圓上成功集成硅晶體管和氮化鎵晶體管，且性能良好：?在IEDM2022上，英特爾聚焦于性能提升，以及為實現300毫米硅基氮化鎵（GaN-on-silicon）晶圓開辟一條可行的路徑。今年，英特爾在硅和氮化鎵的工藝集成方面取得了進展，成功實現了一種高性能、大規模的集成電路供電解決方案，名為“DrGaN”。英特爾的研究人員率先在這一技術領域實現了良好的性能，有望讓供電解決方案滿足未來計算對功率密度和能效的需求。英特爾推進2D晶體管領域的研發工作，以使其在未來繼續按照摩爾定律的節奏微縮下去：?過渡金屬二硫屬化物（TMD,Transitionmetaldichalcogenide）2D通道材料讓晶體管物理柵極長度有機會微縮到10納米以下。在IEDM2023上，英特爾將展示高遷移率（high-mobility）的過渡金屬二硫屬化物晶體管原型，用于NMOS（n型金屬氧化物半導體）和PMOS（p型金屬氧化物半導體）這兩大CMOS關鍵組件。此外，英特爾還將展示其率先實現的兩項技術：GAA2D過渡金屬二硫屬化物PMOS晶體管和在300毫米晶圓上制造的2DPMOS晶體管。